SRO半導體

半導體技術由以往的微米製程進展到現今的奈米.(Nano...解防焊層開口(SRO)的大小對FCFBGA的影響，本研究選...SRO開口70µmSRO開口75µmSRO開口80µm.圖六防焊層 ...,2007年12月24日—在nMOS的HfSiONgate絕緣薄膜中可以使LaOx、Sc、Er及SrO等稀土類金屬擴散，而該集團也研究出其中元素的種類與臨界電壓變化量的關係（圖三）。以此結果 ...,此研究主要使用六標準差方法去減少IMD製程的缺陷，並且達到最佳化的製程績效。以一個在台灣的...

參考資訊如下
28奈米超低介電常數晶片搭配銅柱凸塊之細間距閘陣列封裝 ...

半導體技術由以往的微米製程進展到現今的奈米. (Nano ... 解防焊層開口(SRO)的大小對FC FBGA 的影響，本研究選 ... SRO 開口70µm SRO 開口75µm SRO 開口80µm. 圖六防焊層 ...

32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

2007年12月24日 — 在nMOS的HfSiON gate絕緣薄膜中可以使LaOx、Sc、Er及SrO等稀土類金屬擴散，而該集團也研究出其中元素的種類與臨界電壓變化量的關係（圖三）。以此結果 ...

Case study 填縫能力是藉由晶粒缺陷來評估

此研究主要使用六標準差方法去減少IMD製程的缺陷，並且達到最佳化的製程績效。 以一個在台灣的半導體製造公司做為案例，去證實六標準差方法是可行的。

【研究成果】探索拓撲外爾金屬中量子震盪的厚度依賴性

2023年6月30日 — 在微觀的物質世界中，我們使用各種理論去預測新型材料的行為，希望找出新一代材料及其應用方式，例如用能帶理論去預測金屬、半導體 ... SRO）並驗證了WOE與 ...

低介電常數材料之研究及其在深次微米金屬半導體積體電路 ...

實驗得知,覆蓋一層富矽氧化層(Silicon-rich oxide; SRO) 可有效的防止氟的擴散而造成製程上的問題.同時;我們亦發現提高鍍膜的沉積溫度,利用氮氣電漿(PE-N2) 對FSG薄膜表面 ...

半导体行业（一百二十九）——形成器件和集成电路（十一）

2020年3月8日 — 然后，再生长一层减缓应力的氧化层（SRO）和提供共形覆盖的氮化硅层。在刻蚀之前，再淀积一层由低压气相淀积而成的氧化层。这个氧化层是为了保护氮化 ...

在基板上形成高繞線密度互連位置的半導體裝置及方法

在習知技術中，一焊料對準開口(SRO)通常是形成在該互連位置之上，以在回焊期間限制凸塊材料。該SRO會增加互連間距且減少I/O數目。相對地，遮罩層446可形成在基板440的 ...

富硅氧化物的制造方法及半导体器件的制造方法

提供了一种用在非易失性存储器件中的富硅氧化物(SRO)的制造方法以及使用该SRO的半导体器件。所述制造SRO的方法包括如下步骤：向所述衬底上吸收不含氧的第一硅源气体并 ...

濺製程需使用之各種型式靶材及基板

【陶瓷靶材】 AZO, BSTO, GZO, ITO, IZO, IGZO, Li3PO4, LiMn2O4, PBCO, PCMO, SRO, YBCO, YSZ, ZFO…evaporating & sputtering targets. 【相關下載：Sputtering ...